時(shí)間：2021-10-10 22:20:02
1、這種變異無法避免而且在深亞微米領(lǐng)域，受限于光刻分辨率；氧化層腐蝕造成厚度的改變，因化學(xué)機(jī)械拋光銅金屬線使銅金屬層所造成的不平坦碟型缺陷等種種因素變得更加嚴(yán)重。
2、為了獲得高分辨率壓印圖形，為壓印光刻機(jī)設(shè)計(jì)了一個(gè)精密定位工作臺(tái)。
3、硝基二氫苊的光氧化作用在無顯影氣相光刻中起著重要作用。
4、尼康和ASML在高端光刻機(jī)領(lǐng)域是一對(duì)死對(duì)頭，不過兩家公司的EUV戰(zhàn)略有著顯著的不同之處。
5、 針對(duì)光刻機(jī)工作臺(tái)精密同步運(yùn)動(dòng)的需求，提出了一種適用于多軸精密同步運(yùn)動(dòng)控制的并行計(jì)算架構(gòu)。
6、為了提高在激光直寫設(shè)備中光刻系統(tǒng)的寫入精度，對(duì)光探頭調(diào)焦系統(tǒng)進(jìn)行了研究。
7、最終通過yield的比較說明抗反射層在現(xiàn)代光刻工藝中的作用.
8、用熔融縮聚法含成的聚酯型光刻膠有較寬的分子量分布。
9、羅杰斯博士介紹說，他們先使用標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)將薄型太陽(yáng)能電池印制在半導(dǎo)體晶片上，然后再用軟橡皮圖章將硅電池轉(zhuǎn)而印制到另一種物質(zhì)表面上。
10、但現(xiàn)在，需要“以良品率為中心的DFM”，存眷工藝轉(zhuǎn)變和光刻。
11、光刻膠的旋涂與烘烤，薄膜材料制備。
12、 羅杰斯博士介紹說，他們先使用標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)將薄型太陽(yáng)能電池印制在半導(dǎo)體晶片上，然后再用軟橡皮圖章將硅電池轉(zhuǎn)而印制到另一種物質(zhì)表面上。
13、 因此目前電子束光刻設(shè)備主要的用途是用于刻制掩膜板，許多人甚至認(rèn)為電子束光刻技術(shù)的產(chǎn)出量永遠(yuǎn)也無法滿足芯片量產(chǎn)的需求。
14、 光刻膠的旋涂與烘烤，薄膜材料制備。
15、針對(duì)光刻機(jī)工作臺(tái)精密同步運(yùn)動(dòng)的需求，提出了一種適用于多軸精密同步運(yùn)動(dòng)控制的并行計(jì)算架構(gòu)。
16、根據(jù)對(duì)有機(jī)引發(fā)劑條件下的光刻膠過程的分析得出了納米級(jí)實(shí)體圖。
17、另外，尼康光刻機(jī)業(yè)務(wù)也開始扭虧為盈。
18、 荷蘭ASML公司作為全球三大光刻機(jī)集成生產(chǎn)商之一，通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，在全球光刻機(jī)市場(chǎng)上居于領(lǐng)先地位。
19、現(xiàn)在的納米尺度的技術(shù)能夠也確實(shí)包括了從光刻、光學(xué)到測(cè)量學(xué)的每一個(gè)領(lǐng)域，包括材料科學(xué)、半導(dǎo)體制造，甚至包括了生物技術(shù)。
20、通過對(duì)光刻工藝過程的研究，可為較好地控制正性光刻膠面形，制作微機(jī)械、微光學(xué)器件提供了參考依據(jù)，對(duì)微浮雕結(jié)構(gòu)的深刻蝕具有重要的指導(dǎo)意義。
21、 現(xiàn)在的納米尺度的技術(shù)能夠也確實(shí)包括了從光刻、光學(xué)到測(cè)量學(xué)的每一個(gè)領(lǐng)域，包括材料科學(xué)、半導(dǎo)體制造，甚至包括了生物技術(shù)。
22、 吸盤，光刻投影設(shè)備，制造吸盤的方法和器件制造方法。
23、因此目前電子束光刻設(shè)備主要的用途是用于刻制掩膜板，許多人甚至認(rèn)為電子束光刻技術(shù)的產(chǎn)出量永遠(yuǎn)也無法滿足芯片量產(chǎn)的需求。
24、 因此,在實(shí)際應(yīng)用中,它可以提供具有合適可見度的強(qiáng)光量子光刻術(shù).
25、因此,在實(shí)際應(yīng)用中,它可以提供具有合適可見度的強(qiáng)光量子光刻術(shù).
26、介紹了采用光刻離子交換工藝制作平面交叉型微透鏡陣列的方法。
27、實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，與激光直寫曝光相比，光刻曝光更有利于膠上圖形的陡直度。
28、本文的模擬結(jié)果不僅能為高能電子束光刻工藝優(yōu)化曝光條件、降低鄰近效應(yīng)提供理論指導(dǎo)，而且能為進(jìn)一步的鄰近效應(yīng)的校正提供更精確的數(shù)據(jù)。
29、荷蘭ASML公司作為全球三大光刻機(jī)集成生產(chǎn)商之一，通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，在全球光刻機(jī)市場(chǎng)上居于領(lǐng)先地位。
30、 殘留表面電位會(huì)在后續(xù)觀測(cè)中引入誤差，影響臨界尺度掃描電鏡法的測(cè)量精度，并在電子束光刻中造成位置誤差。
31、水分散型感光膠乳適用于印花工業(yè)的金屬網(wǎng)上，作為光刻膠之用。
32、 在同步輻射X射線光刻中，由于掩模的初始張應(yīng)力和掩膜的非均勻受熱將使掩模產(chǎn)生熱畸變。
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