時(shí)間：2021-04-18 21:20:01
1、 采用二階溫度補(bǔ)償和電流反饋技術(shù)，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種基于襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電阻分壓技術(shù)的超低壓CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源。
2、 當(dāng)層厚遞變時(shí),光子帶隙均向長(zhǎng)波方向移動(dòng).
3、在帶隙附近存在四個(gè)表面態(tài)帶，其中的兩個(gè)占有表面態(tài)帶已由價(jià)帶的同步輻射光電子能譜實(shí)驗(yàn)得到證實(shí)。
4、最終，靠采用完全帶隙聲子晶體襯底，我們獲得了只有單個(gè)輻射支的定向輻射，它的半強(qiáng)角寬大約為5.2度。
5、采用二階溫度補(bǔ)償和電流反饋技術(shù)，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種基于襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電阻分壓技術(shù)的超低壓CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源。
6、結(jié)果表明聲子帶隙將出現(xiàn)在兩個(gè)完全分離的共振態(tài)之間.
7、低濺射功率下，與鍵角畸變有關(guān)的結(jié)構(gòu)無序是導(dǎo)致光學(xué)帶隙變窄的主要因素。
8、 然而，與半導(dǎo)體硅不同，石墨烯的價(jià)帶和導(dǎo)帶之間沒有帶隙。
9、當(dāng)層厚遞變時(shí),光子帶隙均向長(zhǎng)波方向移動(dòng).
10、使用斬波技術(shù)，減小了帶隙基準(zhǔn)源中運(yùn)放的失調(diào)電壓所引起的誤差，提高了基準(zhǔn)源的精度。
11、 最終，靠采用完全帶隙聲子晶體襯底，我們獲得了只有單個(gè)輻射支的定向輻射，它的半強(qiáng)角寬大約為5.2度。
12、 異質(zhì)結(jié)構(gòu)引進(jìn)的帶隙差可以實(shí)現(xiàn)高注入比、進(jìn)一步降低了閾值電流，同時(shí)提高了輸出功率。
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